离子束溅鍍法
IBSS 离子束溅鍍法
敝司在京都研究室进行离子束的应用研究。以下是敝司的离子束溅鍍源。离子束溅鍍法具有可以在低温下形成薄膜、且对材料的等离子没有影响等特点。
（根据合同也能單獨販賣相同的溅鍍源以及电源）
敝司在京都研究室进行离子束的应用研究。以下是敝司的离子束溅鍍源。离子束溅鍍法具有可以在低温下形成薄膜、且对材料的等离子没有影响等特点。
（根据合同也能單獨販賣相同的溅鍍源以及电源）
产品的特点
基本规格
| 可提供面积 | 从实验用到量产用都可以提供。详细尺寸请商议。 |
|---|---|
| 均匀度 | +/- 3%～5% |
| 成膜温度 | 60度～120度 |
| 可对应薄膜种类 | 可以连续形成SiN、SiON、ITO等不同薄膜种类的薄膜。 |
