イオンビームスパッタリング
IBSS イオンビームスパッタリング
当社は京都研究室でイオンビームの応用研究を行っています。下記は弊社のイオンビームスパッタ源です。イオンビームスパッタリングは低温での薄膜形成が可能で、素材へのプラズマの影響もない等の特徴があります。
（契約によっては同スパッタ源および電源の単体販売もいたします）
当社は京都研究室でイオンビームの応用研究を行っています。下記は弊社のイオンビームスパッタ源です。イオンビームスパッタリングは低温での薄膜形成が可能で、素材へのプラズマの影響もない等の特徴があります。
（契約によっては同スパッタ源および電源の単体販売もいたします）
製品の特徴
基本スペック
| 対応可能面積 | 実験用から量産用まで対応可能です。詳細サイズはご相談ください。 |
|---|---|
| 均一性 | +/- 3%～5% |
| 成膜温度 | 60度～120度 |
| 対応可能膜種 | SiN,SiON,ITO等連続して異なった膜種が成膜可能です。 |
