当社は京都研究室でイオンビームの応用研究を行っています。下記は弊社のイオンビームスパッタ源です。イオンビームスパッタリングは低温での薄膜形成が可能で、素材へのプラズマの影響もない等の特徴があります。
（契約によっては同スパッタ源および電源の単体販売もいたします）

どうしても接合できない素材がある。いろいろな接着剤を試したが十分な接合強度が得られない時,表面処理の一つの方法として考えてください。また非常に薄い膜を成膜したい場合も寄与できます。

イオンビームにより素材表面を荒らす、またはわずかに削ることが可能です。これにより難接着性素材が接合可能になる場合があります。またイオンビームをシリコン等のターゲットに照射することにより、素材表面に薄膜が形成できます。当社ではSi, SiN ,C ,SiC ,Al などの薄膜形成が可能です。